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       208C高真空鍍碳儀

      208C高真空鍍碳儀
      英國Cressington
       
      • Cressington 208C高真空鍍碳儀為SEM、TEM、STEM、EDS/WDS、EBSD和微探針分析提供高質量的鍍膜技術。系統結構緊湊,所占空間小。樣品室直徑150mm,可快速抽真空進行鍍膜處理,處理周期約10分鐘。高真空條件下使用超純的碳棒為嚴格的高分辨掃描電鏡、透射電鏡、EBSD及探針分析提供高質量的鍍膜處理。.組件設計方式可方便地對不同優化條件下的各種應用進行切換
      主要特性
      • 電壓控制的碳棒具有多次蒸發能力
      • 反饋控制可以得到準確一致的鍍膜厚度
      • 可選擇操作方法優化鍍膜過程
      • 繁忙條件下可進行自動蒸發控制
      • 低成本高分辨膜厚監測儀保證可重復的鍍膜效果
      • 80L/s的分子渦輪泵可快速地使直徑150mm的樣品室達到鍍膜要求的真空
      • 可配備無油渦旋式真空泵選件
      1. 可通過以下方式節約成本:無須水冷卻系統
      2. 無須加熱或冷卻
      3. 無須液氮
      4. 制樣周期短
      5. 節省空間
      碳蒸發控制
      • 208C對碳棒-Bradley型碳蒸發源使用獨特的完全集成的反饋控制設計。
      • 電流和電壓通過磁控頭的傳感線監控,蒸發源作為反饋回路中的一部分被控制。該蒸發裝置使常規的碳棒具有優良的穩定性和重現性。功率消耗低,碳棒具有異常的重新蒸鍍特性。
      • 蒸發源使用兩步超純碳棒。
      • 蒸發源可以手動“脈沖”或“連續”的方式進行鍍膜。“脈沖”方式如果和MTM-10高分辨膜厚監測儀一起使用,可以準確得到所需要的膜厚。自動方式下的操作非常方便,操作者只要設定電壓和時間,可以得到一致的鍍膜效果。
      208C 樣品室
      • 樣品室的組件設計方式可適應多種附件使用。
      • 通過簡單調節工作距離,可方便地調節蒸發速率。
      • 獨特的標準化高/低真空壓力調節通過精密針閥完成。
      • 高真空用于最高質量地鍍膜,如用于TEM制樣。
      • 低真空用于TEM柵網的輝光放電清潔以及掃描電鏡觀察中形貌復雜樣品的鍍膜。
      • 對于SEM、EDS/WDS 和探針分析,旋轉-行星轉動-傾斜樣品臺可對同時多個樣品進行一致的鍍膜處理。
      • 旋轉-傾斜臺特別為TEM樣品處理設計,而且可以放置25 x 75mm的玻片。
       
      技術參數
      樣品室大小
      直徑150mm 、高度 165mm - 250mm可調
      蒸發源
      Bradley型 (6.15mm直徑 rods) ,高強度不銹鋼結構
      蒸發控制
      基于微處理器的反饋回路控制,能夠進行遠程電流/電壓感應,基于真空水平變量的安全互鎖功能,最大電流180A,提供過流保護
      樣品臺
      可安裝12個掃描電鏡樣品座
      高度在60mm范圍內可調
      旋轉-行星轉動-傾斜樣品臺(選件)
      模擬計量
      真空, 雙范圍 Atm - 0.001mb ;1 x 10-3mb- 5 x 10-6 mb
      電流, 0 - 200A
      控制方法
      自動蒸發控制,使用程序設定的電壓和時間,自動放氣
      以脈沖或連續方式進行完全手動控制
      數字定時器(0-30s)
      數字電壓設置(0.1 to 5.5V)
      真空系統
      結構
      分子渦輪泵/旋片泵組合,無油渦旋式真空泵(選件)
      抽真空速度
      80 L/s.
      抽真空時間
      1.5 min至 1 x 10-4mb
      極限真空
      5 x 10-6mb
      桌上系統
      旋片泵可置于抗震臺上,全金屬真空耦合系統
      系統要求
      電源
      100-120 或 200-240 VAC, 50/60Hz
      功率
      1200 VA max.

       

       

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